GHTS系列-高壓方波發(fā)生器TruStability? 高精度高精度硅陶瓷 (HSC) 系列屬于壓阻式硅壓力傳感器，能夠進行比率式模擬輸出或數(shù)字輸出，從而在指定的滿 量程壓力和溫度范圍內(nèi)讀現(xiàn)在聯(lián)系

SiC高壓開關是由碳化硅MOSFET組成。相較于傳統(tǒng)的硅場效應晶體管的高壓開關，可以極大的降低導通時阻抗，大幅降低開關的固有電容，實現(xiàn)更高的切換頻率和更好的散熱能力。相較傳統(tǒng)現(xiàn)在聯(lián)系

FSWP系列-快速方波發(fā)生器內(nèi)部已集成高壓脈沖開關和配套電路，搭配高壓直流電源后可直接輸出高壓脈沖方波。 最大工作電壓：5KV~9KV 峰值電流：15A~25A 典型上升沿/下降沿時間：&現(xiàn)在聯(lián)系

FQD系列-Q開關驅(qū)動器FQD Q開關驅(qū)動器用于驅(qū)動泡克爾斯盒，應用于激光的領域。FQD驅(qū)動器是一個可直接與泡克爾斯盒連接來使用的產(chǎn)品，已集成一個BEHLKE的高壓脈沖開關和配套的電路現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C8-方波型推挽式高壓開關由兩個HTS高壓開關采用半橋形式組合而成，可以產(chǎn)生非常完美的高壓方波輸出。現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C6-IGBT型由數(shù)百個IGBT管組合而成，主要應用于大電流（峰值電流KA級別）快速高頻切換的科研和工業(yè)脈沖電源的應用。C6開關連接簡單，恢復時間快，抖動小，壽命長。現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C4-低電阻型采用TrenchFET MOSFET技術，使C4開關導通時的電阻極低，能量損耗小。C4開關的切換速度比典型的功率FET開關略低，但比IGBT開關的速度要高的多；現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C3-低耦合電容型由于高壓和低壓控制部分的之間的耦合電容極低，低耦合電容型開關特別適合高頻切換，有高的EMC要求的應用。在高dv/dt的條件下，也能保持很好的消噪抗擾的能力，降低現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C2-低感抗型低感抗，支持高di/dt，上升沿時間5ns~15ns，下降沿時間20ns~50ns，適用于切換頻率不高或中速的高壓脈沖電源應用。現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C1-普通型設計用于常見的高壓脈沖開關應用，比如泡克爾斯盒、壓電晶體、MCP/SEV脈沖發(fā)生器、偏離和加速電場等?？刂坪唵?，穩(wěn)定可靠，抖動時間短，開關準。開關導通時間由低壓現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog B4-低電阻型聯(lián)系電話：86-21-3892-0246現(xiàn)在聯(lián)系

BEHLKE1985年創(chuàng)立于德國，專注于提供高壓脈沖開關和相關產(chǎn)品。設有專業(yè)的實驗室、生產(chǎn)車間和強大的研發(fā)隊伍。初期服務于科學研究類的需求，現(xiàn)在已經(jīng)工業(yè)產(chǎn)業(yè)化，大量應用在醫(yī)療、激光等領域。目前，BEHLKE高壓開關在眾多專業(yè)領域（比如飛行質(zhì)譜、激光電源等）已成為行業(yè)標準。BEHLKE依然在向現(xiàn)在聯(lián)系